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Titlebook: Silizium-Halbleitertechnologie; Grundlagen mikroelek Ulrich Hilleringmann Textbook 20146th edition Springer Fachmedien Wiesbaden 2014 10 nm

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樓主: ABS
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發(fā)表于 2025-3-28 15:01:02 | 只看該作者
ld by introducing a multimodal discourse analysis framework and analysing the environmental values in online ecology animations for children. Based on Martin and White’s (.) attitude system, this study investigates (1) what pro-environmental values are incorporated?in the animations; (2) what attitu
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發(fā)表于 2025-3-28 21:25:30 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-29 00:43:27 | 只看該作者
ionen, ?tzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erl?utert. Das Lehrbuch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.978-3-8348-2085-3
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發(fā)表于 2025-3-29 06:12:32 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-29 08:19:12 | 只看該作者
Oxidation des Siliziums,n Modell über einen linearen und einen parabolischen Anteil beschrieben. Es ist sowohl für die trockene als auch für die feuchte Oxidation gültig. Auch Abscheideverfahren für Siliziumdioxid werden angesprochen.
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發(fā)表于 2025-3-29 13:09:01 | 只看該作者
Lithografie,fahren hinsichtlich ihrer Aufl?sung und Defektdichte vergleichend diskutiert und alternative Techniken gegenübergestellt. Linienweitenund Justiergenauigkeitskontrolle sowie das Abl?sen des Fotolackes runden das Kapitel ab.
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發(fā)表于 2025-3-29 19:22:24 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-29 21:48:34 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-30 01:15:54 | 只看該作者
Depositionsverfahren,akuumabscheidung mit Plasmaanregung w?chst die Bedeutung der Atomlagendeposition. Als physikalische Verfahren werden die Kathodenstrahlzerst?ubung, das Aufdampfen und die Molekularstrahlepitaxie vorgestellt.
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發(fā)表于 2025-3-30 06:23:50 | 只看該作者
Metallisierung und Kontakte,ührung von Kontaktschichten optimieren l?sst. Es folgt die Vorstellung von Oberfl?chenplanarisierungen für die Mehrlagenverdrahtung, zudem werden die Zuverl?ssigkeit von Aluminium als Leiterbahn und die Kupfermetallisierung behandelt.
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