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Titlebook: Oberfl?chen- und Dünnschicht-Technologie; Teil I: Beschichtung René A. Haefer Book 1987 Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1987 Auftragschw

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樓主: Interjection
11#
發(fā)表于 2025-3-23 11:08:48 | 只看該作者
12#
發(fā)表于 2025-3-23 17:01:23 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-23 18:36:18 | 只看該作者
René A. Haefernatürlichen Ressourcen.Steigender Wohlstand verlangsamt Bev?Zwischen der Wirtschaftsleistung pro Kopf und wichtigen gesellschaftlichen Rahmenbedingungen wie z.B. Energiebedarf, Umweltbelastung, Bev?lkerungs- und Wirtschaftswachstum, Mobilit?t, Ausbildung, Lebenserwartung und Gewaltbereitschaft beste
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發(fā)表于 2025-3-24 01:10:01 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 03:54:35 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 10:25:01 | 只看該作者
,Plasmen in der Oberfl?chentechnologie,kung befinden. Plasmen in Gasen und D?mpfen bei niedrigen Drücken (. < 100 Pa = 1 mbar), d. h. nichtthermische Plasmen, spielen wegen ihrer Wechselwirkungen mit Festk?rperoberfl?chen bei folgenden Beschichtungsprozessen eine Rolle: Sputtern, Ionenplattieren, aktivierte reaktive Bedampfung, plasma-ak
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發(fā)表于 2025-3-24 13:46:08 | 只看該作者
Bedampfungstechniken,fenden Atome oder Moleküle verlassen die Oberfl?che des Verdampfungsgutes und schlagen sich als Schicht auf dem Substrat und umgebenden W?nden nieder. Der Proze? findet üblicherweise im Hochvakuum bei . < 10. Pa statt. Die Teilchen fliegen dann praktisch ohne Kollisionen, also geradlinig von der Que
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發(fā)表于 2025-3-24 16:19:45 | 只看該作者
Sputtertechniken,es beschossenen Materials. Dieses Zerst?uben oder Sputtern ist die Grundlage eines Vakuum-Beschichtungsprozesses. Dazu wird eine Quelle des Beschichtungsmaterials, das Target, zusammen mit den Substraten in eine Kammer gebracht, die zun?chst auf Hochvakuum evakuiert wird. Eine gebr?uchliche Methode,
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發(fā)表于 2025-3-24 19:27:55 | 只看該作者
Ionenplattieren,ch den Begriff ?Ion Plating“ pr?gte. Nach Mattox ist das Ionenplattieren (IP) ein Vakuumbeschichtungs verfahren, bei dem die Substratoberfl?che und/oder die sich abscheidende Schicht einem Teilchenstrom hinreichend hoher Energie ausgesetzt wird, um in der übergangszone Substrat/Schicht (interface) s
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發(fā)表于 2025-3-25 00:05:31 | 只看該作者
Chemische Abscheidung aus der Gasphase: CVD-Verfahren,peraturen von etwa 200...2000°C unter Zufuhr von W?rme- oder Strahlungsenergie ablaufen und dabei Festk?rperprodukte und flüchtige Nebenprodukte bilden. Die einzelnen Gaskomponenten werden zusammen mit einem inerten Tr?gergas, meist Argon, durch die Reaktorkammer geleitet, in der die Festk?rper durc
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