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Titlebook: Introduction to Applied Solid State Physics; Topics in the Applic Richard Dalven Book 1980 Springer Science+Business Media New York 1980 Tu

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樓主: encroach
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發(fā)表于 2025-3-23 12:39:34 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-23 14:53:08 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-23 19:27:02 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/978-1-4684-3674-7Tunnel diode; band structure; crystal; diffusion; electron; physics; resistance; semiconductor; semiconducto
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發(fā)表于 2025-3-24 02:03:52 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 05:50:13 | 只看該作者
978-1-4684-3676-1Springer Science+Business Media New York 1980
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發(fā)表于 2025-3-24 08:49:18 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 14:06:50 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 15:04:38 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-24 20:36:07 | 只看該作者
Physics of Metal-Semiconductor and Metal-Insulator-Semiconductor Junctions, the band diagram of an idealized MIS structure. The key result is the formation of an inversion layer at the insulator-semiconductor interface when an appropriate potential is applied. This result will be used in the next chapter to study two important devices, the induced-channel field-effect transistor and the charge-coupled device.
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發(fā)表于 2025-3-25 00:54:20 | 只看該作者
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