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Titlebook: Die extrapleurale Thorakoplastik; Akademische Abhandlu H. Elving Book 1913 Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1913 After.Genom.Hoden.Indikat

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樓主: urinary-tract
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發(fā)表于 2025-3-26 22:49:37 | 只看該作者
978-3-662-24157-8Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1913
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發(fā)表于 2025-3-27 01:18:13 | 只看該作者
https://doi.org/10.1007/3-540-30318-9Die Einwirkung der Operation auf die erkrankte Lunge kommt in der Abnahme des Sputums, dem Abfall des Fiebers und der Besserung des Allgemeinzustandes zum Ausdruck.
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發(fā)表于 2025-3-27 07:52:45 | 只看該作者
Bilen Emek Abali,Celal ?ak?ro?luDie bisherigen Besprechungen haben gezeigt, da? die Thorakoplastik weitgehende anatomische Ver?nderungen hervorruft, die die Grundlage klinischer Besserung der Krankheit abgeben. Es war weiter schon hervorgehoben, da? diese Besserung in manchen F?llen anhaltend ist und schlie?lich sogar in Heilung übergeht.
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發(fā)表于 2025-3-27 12:38:15 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-27 13:36:05 | 只看該作者
Die Erfolge der Behandlung der Lungentuberkulose durch die Thorakoplastik,Die bisherigen Besprechungen haben gezeigt, da? die Thorakoplastik weitgehende anatomische Ver?nderungen hervorruft, die die Grundlage klinischer Besserung der Krankheit abgeben. Es war weiter schon hervorgehoben, da? diese Besserung in manchen F?llen anhaltend ist und schlie?lich sogar in Heilung übergeht.
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發(fā)表于 2025-3-27 19:47:12 | 只看該作者
http://image.papertrans.cn/d/image/277263.jpg
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發(fā)表于 2025-3-28 01:35:48 | 只看該作者
,Die technische Ausführung der Thorakoplastik,icht darauf zu legen, da? sich die Kranken den klimatischen Verh?ltnissen anpassen. Namentlich gilt das für Kranke, die aus dem Hochgebirge in die Ebene kommen Weiter soll man dafür sorgen, da? die Kranken m?glichst gut aushusten, um die Aspirationsgefahr w?hrend und nach der Operation zu verhindern.
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發(fā)表于 2025-3-28 06:08:41 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-28 08:20:59 | 只看該作者
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發(fā)表于 2025-3-28 12:44:42 | 只看該作者
Oxidation, MOS Capacitors, and MOSFETs,faces as the most promising technique for achieving the device-quality interfaces required for commercial applications. Finally, the performance of some of the power MOSFETs fabricated on SiC is presented.
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