作者: ascend 時間: 2025-3-21 20:33
https://doi.org/10.1007/978-1-349-17524-6inen kurzen überblick über den bis jetzt erreichten Stand (1988) bei analogen und digitalen Schaltungen geben. Ausführliche Informationen über GaAs-IS sowie über neueste Entwicklungen (optoelektronische integrierte Schaltungen, Schaltungen auf anderen III-V-Halbleitern als GaAs oder auf Schichtfolgen) sind z.B. in Tagungsb?nden zu finden:作者: Awning 時間: 2025-3-22 01:23 作者: 考博 時間: 2025-3-22 07:14 作者: 征服 時間: 2025-3-22 12:03 作者: Resign 時間: 2025-3-22 14:51 作者: Resign 時間: 2025-3-22 19:46
Einleitung,Dieser Band der Reihe “Halbleiter-Elektronik” befa?t sich mit Hochfrequenz-Feldeffekttransistoren, wobei der GaAs-MESFET (.etal-.emiconductor-.ield-.ffect-.ransistor) im Mittelpunkt steht.作者: 秘傳 時間: 2025-3-22 22:02 作者: congenial 時間: 2025-3-23 03:38 作者: chandel 時間: 2025-3-23 09:09
GaAs-Feldeffekttransistoren978-3-642-83576-6Series ISSN 0172-5882 作者: chalice 時間: 2025-3-23 12:14 作者: Tincture 時間: 2025-3-23 14:02 作者: fulcrum 時間: 2025-3-23 20:49
,The Zenith of Nationalism 1914–1945,r den eindimensionalen Fall l??t sich diese Differentialgleichung für V (x,t) aus der Kontinuit?tsgleichung, der Transportgleichung und einer Beziehung zwischen Fl?chenladung Q und Potential V leicht ableiten. Diese Beziehung Q (V) h?ngt, wie in Kap.3 erl?utert, vom Steuermechanismus der Gateelektro作者: 駁船 時間: 2025-3-24 01:45 作者: Asparagus 時間: 2025-3-24 03:35 作者: 正常 時間: 2025-3-24 08:08 作者: innovation 時間: 2025-3-24 13:57
https://doi.org/10.1007/978-3-642-83576-6Bauelemente; Digitale Schaltungen; Entwicklung; Feldeffekt; Feldeffekttransistoren; Halbleiter; Kennlinien作者: Adulate 時間: 2025-3-24 18:03 作者: EVICT 時間: 2025-3-24 22:55 作者: blackout 時間: 2025-3-25 00:54
Grundlagen,gstr?ger eines Typs (Elektronen oder L?cher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch L?cher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.作者: 宿醉 時間: 2025-3-25 06:14
Theorie des Ladungstransports,tsache aus, da? ein FET mit n-leitendem Kanal eine lineare I.-V.-Kennlinie im Bereich kleiner Drainspannung besitzt, so gilt für den Kanalwiderstand.Darin ist L die Gatel?nge, W die Gatebreite, Q die für den Stromtransport zur Verfügung stehende Fl?chenladung, μ die Elektronenbeweglichkeit.作者: 哄騙 時間: 2025-3-25 10:51 作者: 環(huán)形 時間: 2025-3-25 13:04
0172-5882 Eigenschaften dieser neuen Bauelemente einarbeiten wollen. Auf Grund der hohen Bedeutung dieser Technik wurde ihr ein eigener Band in der bekannten und bereits an dieser Stelle diskutierten Reihe Halbleiter-Elektronik gewidmet. Vorausgesetzt wird die Kenntnis der Grundlagen der Halbleiter-Elektroni作者: 悲觀 時間: 2025-3-25 19:19
Benedict Atkinson,Brian Fitzgeraldgstr?ger eines Typs (Elektronen oder L?cher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch L?cher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.作者: 抗體 時間: 2025-3-25 22:29 作者: Consequence 時間: 2025-3-26 03:42 作者: 松馳 時間: 2025-3-26 06:47 作者: FLAGR 時間: 2025-3-26 08:41 作者: idiopathic 時間: 2025-3-26 14:21 作者: 旁觀者 時間: 2025-3-26 19:20 作者: Collected 時間: 2025-3-26 22:55
Theorie des Ladungstransports,ET, wenn man die entsprechenden Materialparameter (Beweglichkeit, Ladungstr?gerkonzentration, S?ttigungsgeschwindigkeit) einsetzt. Geht man von der Tatsache aus, da? ein FET mit n-leitendem Kanal eine lineare I.-V.-Kennlinie im Bereich kleiner Drainspannung besitzt, so gilt für den Kanalwiderstand.D作者: 我邪惡 時間: 2025-3-27 04:07
GaAs-MESFET,r den eindimensionalen Fall l??t sich diese Differentialgleichung für V (x,t) aus der Kontinuit?tsgleichung, der Transportgleichung und einer Beziehung zwischen Fl?chenladung Q und Potential V leicht ableiten. Diese Beziehung Q (V) h?ngt, wie in Kap.3 erl?utert, vom Steuermechanismus der Gateelektro作者: 撫慰 時間: 2025-3-27 06:42 作者: Abnormal 時間: 2025-3-27 10:09 作者: 祖?zhèn)髫敭a(chǎn) 時間: 2025-3-27 13:44 作者: 提名的名單 時間: 2025-3-27 18:40
Conference proceedings 2015 papers presented in the AC 2015 proceedings address the following major topics: cognitive performance and work load, BCI and operational neuroscience, cognition, perception and emotion measurement, adaptive and tutoring training, applications of augmented cognition.作者: Atmosphere 時間: 2025-3-28 01:49 作者: ALB 時間: 2025-3-28 03:59
,Climate Change Impact on Tourism-Based Livelihood and Related Youth Migration—A Case Study for Nain relied on tourism related livelihood options like boating, water sports, paragliding, and other aquatic sports activities for their daily earnings. Another relevant change observed in the last decade as per the survey and interview done is the migration of youth population to nearby state, especial作者: pester 時間: 2025-3-28 06:33 作者: debacle 時間: 2025-3-28 14:13 作者: 口訣 時間: 2025-3-28 15:09
rk of J?rgensen .) served to call attention to R-dtp compounds, many additional studies remain to be done. Compounds of many elements in the periodic table have not been characterized and a limited amount of structural data is available. The effect of substituent variation has been shown to affect s作者: 引起 時間: 2025-3-28 19:01
