標(biāo)題: Titlebook: Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente; Horst Gad Book 1979 Springer Fachmedien Wiesbaden 1979 Einsa [打印本頁] 作者: arouse 時(shí)間: 2025-3-21 18:55
書目名稱Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente影響因子(影響力)
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書目名稱Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente讀者反饋
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作者: Wallow 時(shí)間: 2025-3-21 21:42
Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente978-3-322-88459-6作者: Liability 時(shí)間: 2025-3-22 01:23 作者: COMA 時(shí)間: 2025-3-22 06:50 作者: ALTER 時(shí)間: 2025-3-22 09:19
Kompensationsverfahren,re Terme zu erwariren sind. Da hier der quadratische Term der Zerlegung als erwünschte Funktion angesehen wird, ist nach einem Verfahren zur Kompensation der unerwünschten Terme der Taylorentwicklung zu suchen.作者: Repatriate 時(shí)間: 2025-3-22 14:29 作者: Repatriate 時(shí)間: 2025-3-22 20:42 作者: 包庇 時(shí)間: 2025-3-22 21:24 作者: Retrieval 時(shí)間: 2025-3-23 01:27
Ergebnisse der empirischen Studie,en n-Kanal-MOSFET M?glichkeiten aufgezeigt, Parabel?ste zu erhalten. Damit die Bulk-Source-Diode des MOSFET bei Inversbetrieb (U. < 0) nicht in Flu?richtung betrieben werden kann, sei angenommen, da? das Bulk genügend stark negativ vorgespannt ist.作者: 瑣事 時(shí)間: 2025-3-23 09:36 作者: 吞沒 時(shí)間: 2025-3-23 11:58
https://doi.org/10.1007/978-3-662-26329-7en durch Vorzeichen -dieser Parameter berücksichtigt werden k?nnen. Bei verfeinerten Modellen sind vor allem der Beweglichkeitsund der Substrateinflu? /1, 14/ auf den Drainstrom und die Bulksteuerung zu berücksichtigen. Darüberhinaus ist aber auch der exponentielle Einflu?, der bei kleinen Drainstr?men /15, 16/ auftritt, von Interesse.作者: interlude 時(shí)間: 2025-3-23 14:42
Alten Bibliotheken eine Zukunft,war die Gate-Dioden, dafür sind aber die Bulk-Dioden (Bild 11) vorhanden. Die Berechnung der Aussteuergrenzen erfolgt unter der Annahme, da? jeweils die Feldeffekttransistoren gleiche Parameter ? und U. haben.作者: 推延 時(shí)間: 2025-3-23 19:16 作者: 精致 時(shí)間: 2025-3-23 22:16 作者: byline 時(shí)間: 2025-3-24 03:14
https://doi.org/10.1007/978-3-642-90990-0sich der Aussteuerbereich erweitern und bei unterschiedlichen Schwellspannungen auch ein Verzerrungsabgleich erreichen. Wird die Schaltung nicht im Kurzschlu? betrieben, ergeben sich besondere Probleme, die Gate-Source-Vorspannungen mit massebezogenen Quellen einstellen zu k?nnen.作者: 樹膠 時(shí)間: 2025-3-24 09:13
,Spezielle Schaltungen für den Einsatz des Feldeffekttransistors als quadratisches Element,sich der Aussteuerbereich erweitern und bei unterschiedlichen Schwellspannungen auch ein Verzerrungsabgleich erreichen. Wird die Schaltung nicht im Kurzschlu? betrieben, ergeben sich besondere Probleme, die Gate-Source-Vorspannungen mit massebezogenen Quellen einstellen zu k?nnen.作者: hemorrhage 時(shí)間: 2025-3-24 12:44
Die Grundlagen der Selbstorganisation, gefunden. Ein besonderer Vorzug des Feldeffekttransistors aller Typen sind seine quadratischen Kennlinien, die bei seinem Einsatz als Verst?rker ein geringes Verzerrungsverhalten gew?hrleisten. Darüberhinaus eignet sich der Feldeffekttransistor als Element zur Realisierung quadratischer Funktionen 作者: 殺死 時(shí)間: 2025-3-24 17:21 作者: Ptsd429 時(shí)間: 2025-3-24 22:56 作者: 暫時(shí)休息 時(shí)間: 2025-3-24 23:46
https://doi.org/10.1007/978-3-662-26329-7odell sowohl für den Sperrschicht- als auch für den MOS-Feldeffekt-transistor. Die Parameter dieses Modells sind ? und U., wobei die verschiedenen Typen durch Vorzeichen -dieser Parameter berücksichtigt werden k?nnen. Bei verfeinerten Modellen sind vor allem der Beweglichkeitsund der Substrateinflu?作者: Ancillary 時(shí)間: 2025-3-25 05:50 作者: convert 時(shí)間: 2025-3-25 09:05
Alten Bibliotheken eine Zukunft,ngangsdynamikbereich genannt, ist typen- und schaltungsabh?ngig. Beim PNFET sind die Grenzen gem?? Bild 12 zu berücksichtigen. Beim MOSPET entfallen zwar die Gate-Dioden, dafür sind aber die Bulk-Dioden (Bild 11) vorhanden. Die Berechnung der Aussteuergrenzen erfolgt unter der Annahme, da? jeweils d作者: largesse 時(shí)間: 2025-3-25 12:39
https://doi.org/10.1007/978-3-662-31642-9 beschrieben, wobei aber die Gate-Source-Vorspannung U. gem?? Gl.(139) durch U. oder I. ersetzt werden kann. Bei ungleichen Parametern der Feldeffekttransistoren ist ein Abgleich gem?? Gl.(162) und Gl. (163) bzw. gem?? Gl.(170) und Gl.(171) vorzunehmen. Dabei ist aber der Abgleich weitgehend auf unt作者: adroit 時(shí)間: 2025-3-25 16:32 作者: Visual-Acuity 時(shí)間: 2025-3-25 21:25
,Folgen der Beziehung für das Tier,Das hier benutzte Verfahren zum Einsatz des Feldeffekttransistors als quadratisches Element beruht darauf, da? ein Parabelast der Strom-Spannungs-Kennlinie des Feldeffekttransistors nach Taylor zerlegt wird. Wie diese Zerlegung erfolgen kann, sei anhand der Kennlinie Bild 1,(2) dargestellt.作者: Dri727 時(shí)間: 2025-3-26 00:38
Die Bierverk?ufer von BarcelonaZur Erfassung des wesentlichen Einflusses kapazitiver Last beim quadratischen Element mit Feldeffekttransistoren wird von der Schaltung gem?? Bild 47 ausgegangen. Die Kapazit?ten C wie auch die Kapazit?t C. beeinflussen in Verbindung mit den Widerst?nden R und R. die Ausgangsspannung u..作者: plasma 時(shí)間: 2025-3-26 07:55 作者: 啞巴 時(shí)間: 2025-3-26 10:46
https://doi.org/10.1007/978-3-658-36520-2Die Untersuchungen über den Einsatz von PNFETs wie auch von MOSFETs als quadratische Elemente, die nach dem Kompensationsverfahren arbeiten, haben ergeben, da? diese Technik durchaus für die Praxis geeignet ist.作者: needle 時(shí)間: 2025-3-26 15:05
,Zerlegung von Parabel?sten,Das hier benutzte Verfahren zum Einsatz des Feldeffekttransistors als quadratisches Element beruht darauf, da? ein Parabelast der Strom-Spannungs-Kennlinie des Feldeffekttransistors nach Taylor zerlegt wird. Wie diese Zerlegung erfolgen kann, sei anhand der Kennlinie Bild 1,(2) dargestellt.作者: 典型 時(shí)間: 2025-3-26 17:12
,Einflu? kapazitiver Last auf die Ausgangsspannung des quadratischen Elements mit FeldeffekttransistZur Erfassung des wesentlichen Einflusses kapazitiver Last beim quadratischen Element mit Feldeffekttransistoren wird von der Schaltung gem?? Bild 47 ausgegangen. Die Kapazit?ten C wie auch die Kapazit?t C. beeinflussen in Verbindung mit den Widerst?nden R und R. die Ausgangsspannung u..作者: Assault 時(shí)間: 2025-3-27 00:30
Abweichungen der Ausgangsspannung quadratischer Elemente mit Feldeffekttransistoren vom idealen VerZur Beurteilung der quadratischen Elemente mit Feldeffekttransistoren wird der Quadrierfehler ΔC/C und der Verzerrungsgehalt V. eingeführt. Anschlie?end sind experimentelle Ergebnisse für ΔC/C und V. angegeben.作者: parasite 時(shí)間: 2025-3-27 03:00 作者: 猛擊 時(shí)間: 2025-3-27 08:35
Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalenhttp://image.papertrans.cn/e/image/303260.jpg作者: 喚起 時(shí)間: 2025-3-27 09:48
https://doi.org/10.1007/978-3-322-88459-6Einsatz; Feldeffekt; Feldeffekttransistor; Feldeffekttransistoren; Forschung; Transistor作者: 女歌星 時(shí)間: 2025-3-27 14:46 作者: 砍伐 時(shí)間: 2025-3-27 21:44
Overview: 978-3-531-02866-8978-3-322-88459-6作者: glucagon 時(shí)間: 2025-3-27 23:02 作者: Aggrandize 時(shí)間: 2025-3-28 04:54 作者: 雇傭兵 時(shí)間: 2025-3-28 06:43
,Einführung, gefunden. Ein besonderer Vorzug des Feldeffekttransistors aller Typen sind seine quadratischen Kennlinien, die bei seinem Einsatz als Verst?rker ein geringes Verzerrungsverhalten gew?hrleisten. Darüberhinaus eignet sich der Feldeffekttransistor als Element zur Realisierung quadratischer Funktionen 作者: 整頓 時(shí)間: 2025-3-28 12:43
,Parabel?ste des Feldeffekttransistors,mit deren Hilfe der Feldeffekttransistor als quadratisches Element eingesetzt werden kann. In Bild 1 sind im I.-U.-Kennlinien-feld eines selbstleitenden n-Kanal-MOSFET M?glichkeiten aufgezeigt, Parabel?ste zu erhalten. Damit die Bulk-Source-Diode des MOSFET bei Inversbetrieb (U. < 0) nicht in Flu?ri作者: 為寵愛 時(shí)間: 2025-3-28 16:46 作者: 雜役 時(shí)間: 2025-3-28 19:40
Modelle zur Beschreibung der Strom-Spannungs-Kennlinien von Feldeffekttransistoren im Anlaufgebiet,odell sowohl für den Sperrschicht- als auch für den MOS-Feldeffekt-transistor. Die Parameter dieses Modells sind ? und U., wobei die verschiedenen Typen durch Vorzeichen -dieser Parameter berücksichtigt werden k?nnen. Bei verfeinerten Modellen sind vor allem der Beweglichkeitsund der Substrateinflu?作者: 天文臺 時(shí)間: 2025-3-28 23:25
,Spezielle Schaltungen für den Einsatz des Feldeffekttransistors als quadratisches Element,rin, da? bei der Verwendung von Sperrschicht-Feldeffekttransistoren bei Kurzschlu?betrieb mindestens eine der- Gate-Dioden (Bild 6) in Flu?richtung betrieben wird, bzw.da? bei Beschaltung mit einem Widerstand (Bild 8; der Ausgangsstrom und dadurch auch die AusgangsSpannung nicht nur vom Quadrat der 作者: Cardiac-Output 時(shí)間: 2025-3-29 06:55 作者: Etching 時(shí)間: 2025-3-29 11:11 作者: 最高峰 時(shí)間: 2025-3-29 14:56
Messungen am quadratischen Element mit CMOS-IC, Bulk-Source-Spannung, des Effektivwertes der Eingangswechselspannung und des Effektivwertes des Nutz-Spektralanteils der Ausgangsgr??e experimentell ermittelt. Dargestellt werden der Kurzschlu?betrieb (R. = 0) und der Leerlaufbetrieb (R.→∞), wobei die Vorspannungseinstellung und der Symmetrieab— gl作者: 一小塊 時(shí)間: 2025-3-29 19:09
D. Koller,A. Hadas, und das Allgemeine Gleichbehandlungsgesetz, das einen umfassenden Schutz vor Diskriminierungen und Bel?stigungen im Arbeitsleben gew?hrleisten soll.?? .978-3-540-79820-0Series ISSN 0937-7433 Series E-ISSN 2512-5214 作者: periodontitis 時(shí)間: 2025-3-29 23:28
0302-9743 , ICCS 2001, held in San Francisco, California, May 27-31, 2001. The two volumes consist of more than 230 contributed and invited papers that reflect the aims of the conference to bring together researchers and scientists from mathematics and computer science as basic computing disciplines, research作者: 信任 時(shí)間: 2025-3-30 03:13 作者: Substance-Abuse 時(shí)間: 2025-3-30 07:49
